Microwave Technology

ta'rif

- MicroWave Technology, Inc, RF & amp; mikrodalga diskret yarim o'tkazgich mahsulotlari, GaAs va GaN chastotasi kuchlanish kuchaytirgichlari, past shovqinli pHEMT qurilmalari, MMIClar, simsiz kuchlanishli qurilmalar, gibrid modullar va konnektikli mikroto'lqinli amplifikatorlar.
Kaliforniya Silikon vodiysida joylashgan MicroWave Technology, Inc. (MwT) 1982-yilda Galyum Arsenide (GaAs) qurilma dizaynida va ishlab chiqarishda katta tajribaga ega bo'lgan texnik direktorlar tomonidan tashkil etilgan. 35.000 kvadrat metrli fabrikani egallagan kompaniya asosiy aktivlari GaAs yarimo'tkazgich fabini va gibrid chipni va simli mikroto'lqinli entegral elektronni (HMIC) ishlab chiqarishni o'z ichiga oladi. Vertikal ishlab chiqarish va mahsulotning kuchi MwT-ning juda kam imkoniyatlarini va mikroto'lqinli pech komponentlar bozoridagi imkoniyatini ta'minlaydi.
MwT, alohida Galyum Arsenid diodlar va tranzistorlar (FETs, pHEMT'ler va Gunn Diodes), AQShning etakchi savdo-sotuvchisi. Qurilmaning ishonchliligiga e'tibor qaratishning dastlabki ishi MwT qurilmalarini vodorodning ifloslanishiga to'sqinlik qiladigan maxsus metalllashtirilgan tizimlarga olib keldi, endi yuqori ishonchlilik sanoatiga katta tashvish uyg'otdi. Ushbu qurilmalarda yuqori darajali (1 Vt P-1 dB simsiz amperda +48 dBm IP3) va past o'zgarishlar shovqinida (-175 dBc @ 100 KHz ofsetda 17,5 dyuymda) natijaga olib keladigan xususiy epi material va chorak mikronli chuqurlikli eshik usuli texnologiyasi qo'llaniladi. GHz DRO) 10 mVtdan 5 Vatt gacha bo'lgan quvvatli qurilmalar. Chips yoki paketlar sifatida sotiladigan ushbu qurilmalar simsiz infratuzilma tizimlarida, sanoat RF dasturlarida va turli mudofaa va kosmik elektronikalarida ma'lumotlarni uzatish yoki qabul qilishda 10 MGts dan 40 gigagertsgacha bo'lgan signallarni kuchaytirishda keng qo'llanadi.
MwT'ning GaAs FETs ning past intermodulatsiya distortioning xususiyatlaridan foydalangan holda, kompaniya o'z mahsulotiga kichik hajmda mos keladigan modulli sirt assortimentini uzatuvchi va juda ko'p tashuvchi va / yoki raqamli modulyatsiyalangan (yuqori chiziqli ) Simsiz infrastruktura va harbiy kommunikatsiya tizimlari. Asosiy ilovalar qabul qiluvchi old tomonlari va uyali, PCS va WLL bazasi stantsiyasida haydovchilar yoki picocell chiqish ampulyatorlari va harbiy yuqori ishonchliligi bilan bog'liq. E'tiborga loyiq yangi mahsulotlarga yuqori darajada chiziqli yuqori kuchlanishli energiya manbaalarini yaratish uchun daromad olishning qulayligini ta'minlaydigan juda kam kirish va chiqish qaytarilishining ziyoni mavjud. MwT o'zining yuqori ishonchliligi bilan tasdiqlangan nozik filtrli elektronni qayta ishlash qobiliyatini ichki va tashqi mijozning iste'moliga taqdim etadi. Ingichka hibrli mikrodasturni qurishda MwT standart modulli amfliurali mahsulotlarni 26 gigagertsgacha ishlab chiqaradi va sotadi. Ushbu modul shuningdek, MWT uchun mudofaa va telekommunikatsiya ilovalari uchun standart va moslashtirilgan amplifikatorlarni loyihalash va ishlab chiqarish uchun elementlarni ishlab chiqadi.
MwT ko'p yillar davomida mijozlarga mo'ljallangan ixtisoslashtirilgan dizaynlarni yaratadi va MwT qurilmalari asosida yaratilgan maxsus dizaynlarga ega. MWT, shuningdek, maxsus amper'lar va taxta darajasida mahsulotlar ishlab chiqarish uchun uning qismlari standart va maxsus versiyalaridan foydalanadi. Bizning tasdiqlangan tajribamiz va kuzatuvlarimiz dizayn xarajatlarini, vaqtini va muhandislik resurslarini tejashga yordam beradi. Masalan, past chastotali LNA, Simsiz LNA kuchaytiruvchi vosita, Integral qurilish bloklari, yuqori chastotali osilatorlar, baholash platalari va test sinovlari mavjud.